উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার সংশ্লেষ প্রক্রিয়া
পাতলা ফিল্মগুলি 1250 or 1350 at কে রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিটেশন দ্বারা জমা করে জমা করা হয়েছিল ফ্লেক গ্রাফাইটকে সাবস্ট্রেট হিসাবে এবং মিথাইল ক্লোরোয়ালকান / হাইড্রোজেনকে বিক্রিয়া গ্যাস এবং বাহক গ্যাস হিসাবে। তারপরে, 200 ~ 1200 মাইক্রনের কণা আকারের উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডারগুলি জারণ, পিকিং এবং পালভারাইজেশন দ্বারা প্রাপ্ত হয়েছিল।
যদিও উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার এই পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুত করা হয়েছিল, পরবর্তী প্রক্রিয়া জটিল ছিল, কাঁচামাল ব্যয়বহুল এবং ফলন কম ছিল।
W. Zhu et al। রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে 1200 ~ 1400 at এ অতি-সূক্ষ্ম এবং উচ্চ-বিশুদ্ধতা পাউডার উত্পাদন করে, সিলেন এবং এসিটিলিনকে বিক্রিয়া গ্যাস এবং হাইড্রোজেন হিসাবে বাহক গ্যাস হিসাবে ব্যবহার করে।
প্রতিক্রিয়া উত্স হিসাবে হেক্সামেথেলিসিলেন এবং বাহক গ্যাস হিসাবে হাইড্রোজেন এবং আর্গন ব্যবহার করছেন, আনাগুটা এট আল। 1050 ~ 1250 at এ রাসায়নিক বাষ্প জমা দ্বারা আল্ট্রাফাইন উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার তৈরি করেছে ℃
উভয় গ্রুপ জৈব গ্যাস উত্স থেকে উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার উত্পাদন রাসায়নিক বাষ্প জমার (সিভিডি) ব্যবহার। তবে এটি ন্যানোস্কলে আল্ট্রাফাইন পাউডার তৈরি হয়। যদিও বিশুদ্ধতা বেশি, তবে এটি সংগ্রহ করা সহজ নয়, এবং উচ্চ-বিশুদ্ধতা উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডারের বৃহত উত্পাদন জন্য উপযুক্ত নয়, যা পরবর্তীকালে শিল্পায়নের বিকাশের পক্ষে উপযুক্ত নয়।
স্বয়ংক্রিয় সংক্রমণের জন্য একটি উত্পাদন পদ্ধতি
এই পদ্ধতিতে সিলিকা পাউডার এবং কার্বন ব্ল্যাকগুলি কাঁচামাল হিসাবে ব্যবহৃত হত এবং অন্যান্য অ্যাক্টিভেটরগুলি সরাসরি 1000 ~ 1150 at এ গুঁড়া উত্পাদন করতে যোগ করা হয়েছিল ℃ অনুঘটকটির ভূমিকা অনিবার্যভাবে উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডারের বিশুদ্ধতা এবং গুণমানকে প্রভাবিত করবে।
অতএব, অনেক গবেষক এই ভিত্তিতে একটি উন্নত আত্ম-প্রচার সংশ্লেষণ পদ্ধতি প্রস্তাব করেছেন। প্রধান উন্নতি হল অ্যাক্টিভেটর প্রবর্তন এড়ানো এবং উত্পাদন তাপমাত্রা বৃদ্ধি এবং ক্রমাগত গরম করে ক্রমাগত এবং দক্ষ উত্পাদন প্রতিক্রিয়া নিশ্চিত করা।
1999 সালের প্রথম দিকে, সিলিকন উৎস হিসেবে ইথাইল ওসিলিকেট, কার্বন উৎস হিসাবে ফেনোলিক রজন, 1700 ~ 2000 range এর পরিসরে 10 ~ 500μm পাউডারের কণার আকার উৎপাদনের জন্য দহন পদ্ধতি ব্যবহার করে, অপবিত্রতার পরিমাণের ভর ভগ্নাংশ 0.5 এর কম -6 10-6।
তবে, এই পদ্ধতির রিঅ্যাক্ট্যান্টরা জৈব পদার্থ ব্যবহার করে, তাই কাঁচামালের ব্যয় বেশি হয়, যা উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডারের বৃহত আকারে উত্পাদন অনুকূল নয়। চিনা একাডেমি অফ সায়েন্সেসের সাংহাই ইনস্টিটিউট অফ সিলিকন রিসার্চ-এর গবেষকরা উচ্চ তাপমাত্রায় অর্গনের পরিবেশে 99.9 শতাংশ এবং 99.999 শতাংশ ভর ভগ্নাংশ উত্পাদন করেছিলেন।
ইত্যাদি। অ্যাক্টিভেটেড কার্বন (কণা আকার 20-100 মাইক্রন) এবং কার্বন উত্স (ভর ভগ্নাংশ 99.9%) হিসাবে ফ্ল্যাফিক গ্রাফাইট (কণার আকার 5-25 মাইক্রন) এবং সিলিকন উত্স হিসাবে উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন (কণার আকার 10-270 মাইক্রন, ভর ভগ্নাংশ 99.999) যথাক্রমে%)।
উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার 1900 ar এ আর্গন এর বায়ুমণ্ডলে একটি ভ্যাকুয়াম sintering চুল্লি প্রস্তুত করা হয়েছিল। ফলাফলগুলি দেখায় যে উচ্চ ভ্যাকুয়াম সিলিকন গুঁড়ো বিশুদ্ধতা ক্যারিয়ার গ্যাসের চেয়ে ভাল। এছাড়াও, উচ্চ ভ্যাকুয়ামের অধীনে উত্পাদিত উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার একক স্ফটিক বৃদ্ধি করতে ব্যবহৃত হয়। ফলাফলগুলি দেখায় যে বেড়ে ওঠা একক স্ফটিকগুলিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং দুর্দান্ত আধা-অন্তরক বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা সম্পর্কিত ডিভাইসের জন্য আধা-অন্তরক স্তরগুলির প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। উচ্চ বিশুদ্ধতা পাউডার উত্পাদন প্রযুক্তির সম্ভাবনা
উন্নত স্ব-প্রচারমূলক উত্পাদন ল্যাবরেটরিতে একক স্ফটিক বাড়ানোর জন্য একটি সাধারণ পদ্ধতি কারণ এটির কাঁচামাল ব্যয় কম এবং সহজ প্রক্রিয়া। এটি পাওয়া যায় যে বিভিন্ন উত্পাদন প্রক্রিয়া পরামিতি উত্পাদন পণ্যগুলির উপর নির্দিষ্ট প্রভাব রাখে।
আজ, নিম্নলিখিত দিকগুলিতে গবেষণা জোরদার করা প্রয়োজন:
1. উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার উত্পাদন প্রক্রিয়া গভীরতার সাথে অধ্যয়ন করা হয়েছিল, বিশেষত কণা আকার, আকৃতি, কণা আকার বিতরণ এবং বিশুদ্ধতা হিসাবে পরামিতি কার্যকরভাবে নিয়ন্ত্রণ করার প্রাথমিক তত্ত্ব।
২. স্বল্প পরিমান এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা সহ উচ্চ বিশুদ্ধতা পাউডার প্রস্তুত করার জন্য, স্বল্প সংস্থান এবং সহজ প্রক্রিয়া ভিত্তিতে একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য উপযুক্ত, যাতে স্বয়ংক্রিয় সংক্রমণের উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকন পাউডার উত্পাদন পদ্ধতি উন্নত করার জন্য গবেষণাটিকে আরও কীভাবে শক্তিশালী করা যায়, এইভাবে সিসি একক স্ফটিক সাবস্ট্রেটের বৃদ্ধির গুণমানকে কার্যকরভাবে উন্নতি করতে, চিনে অ্যাপ্লিকেশন সরঞ্জাম শিল্পের বিকাশের প্রচার করা।
